昌都周边仪器/仪表信息
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安徽爱斯汽化过氧化氢灭菌生物指示剂H3726T原厂正品
生物指示剂的选用参照《中国药典》2020 年版四部通则9207 “灭菌用生物指示剂指导原则”。针对具体的灭菌工艺和具体的产品，还应注意所用的生物指示剂的耐受性应强于待灭菌产品中的污染菌。湿热灭菌工艺常用的生物指示剂有以下几种，嗜热脂肪地芽孢杆菌，生孢梭菌、枯草芽孢杆202022-04-09 -
云浮进口3M压力蒸汽灭菌生物指培养示剂1262S
型号：1262 菌片含菌量：1×10的6次方以上 指标菌种：嗜热脂肪杆菌芽胞ATCC7953 Geobacillus stearothermophilus品牌：3M 型号：1262-S 规格：300支/盒，2盒/箱 有效期：2年 用途：适用于高压蒸汽生物灭菌监测湿热灭菌工艺常用的生物指示剂有以下几种，嗜热脂肪地芽孢杆菌，212022-04-03
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高低温交变湿热试验箱 温度循环测试箱
技术参数 1.温度范围：-20℃～150℃（A）、-30℃～150℃(B)、-40℃～150℃(C)、-60℃～150℃(D)、-70℃～150℃(E) 2.湿度范围：30%～98%R.H（温度在25℃～95℃） 3.温度均匀度：≤±2℃ （空载时） 4.湿度均匀度：+2% -3%R.H 5.温度波动度：≤±0.5℃ （空载时） 6.湿度波动度：±2% 7昌都周边面议2025-03-12 -
恒温恒湿测试箱 可编程双85湿热试验箱
技术参数 1.温度范围：-40℃～150℃(D) 2.湿度范围：30%～98%R.H（温度在25℃～95℃） 3.温度均匀度：≤±2℃ （空载时） 4.湿度均匀度：+2% -3%R.H 5.温度波动度：≤±0.5℃ （空载时） 6.湿度波动度：±2% 7.温度偏差：≤±2℃ 8.湿度偏差：≤±2% 9.降温速率：0.7～1.0℃/min昌都周边面议2025-03-12 -
恒温恒湿测试箱 可编程双85湿热试验箱
技术参数 1.温度范围：-40℃～150℃(D) 2.湿度范围：30%～98%R.H（温度在25℃～95℃） 3.温度均匀度：≤±2℃ （空载时） 4.湿度均匀度：+2% -3%R.H 5.温度波动度：≤±0.5℃ （空载时） 6.湿度波动度：±2% 7.温度偏差：≤±2℃ 8.湿度偏差：≤±2% 9.降温速率：0.7～1.0℃/min昌都周边面议2025-03-12 -
换气老化箱试验设备 高温热空气试验箱
技术参数 1.温度范围：室温+10℃～200℃；或室温+10℃～300℃； 2.温度波动度：±1℃ （空载时）； 3.升温速率： 3～5℃/min； 4.试验定时范围：1～9999（s、m、h）可调； 5.换气时间：1～99（s、m、h）可调； 6.换气量：3～10次/小时、50～100次/小时、 100～200次/小时（订昌都周边面议2025-03-12 -
高低温试验箱 交变湿热可程式高温低温箱
产品名称 高低温交变湿热试验箱 一、产品用途 产品适用于考察 电工电子产品、元器件、零部件及其材料在不同温湿度条件下，其耐潮湿能力，还可以作为在高低温环境下储存、运输和使用的适应性试验。 二、产品规格(单位：mm) 三、技术参数 1.温度范围：-70℃～150℃(E)昌都周边面议2025-03-12 -
大功率分立器件测试设备静态参数分析仪
普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准昌都周边面议2025-03-11 -
国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪
国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯S系列源表标准的SCPI指令集，U秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，详询一八一四零六六三四七六 数字源表基本功能 集多种功能为一体的精密测量仪器，主要是测量电气性能 SMU可以当电源,昌都周边面议2025-03-11 -
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪优势： IV、CV一键测；一体机，支持远程指令控制；支持三同轴接探针台 能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试；详询一八一四零六六三四七六； 产品特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可昌都周边面议2025-03-11 -
脉冲IV特性测试数字源表
PXOOB系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者昌都周边面议2025-03-11 -
直流特性IV曲线SMU数字源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%昌都周边面议2025-03-11 -
功率半导体测试电源高压程控电源
功率半导体测试电源高压程控电源具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。详询18140663476最大输出功率：350W，3500昌都周边面议2025-03-11 -
IGBT|SiC功率半导体器件测试设备
PMST系列IGBT|SiC功率半导体器件测试设备是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGB昌都周边面议2025-03-11 -
晶圆/芯片微弱电流测试VI源表
武汉普赛斯仪表晶圆/芯片微弱电流测试VI源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作S系列源表 应用 分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、昌都周边面议2025-03-11 -
igbt静态性能测试设备
普赛斯igbt静态性能测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476 测试项目 集昌都周边面议2025-03-11 -
wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪
SPA-6100wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材昌都周边面议2025-03-11 -
IC芯片电特性测试数字源表
IC芯片电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400、2450、2611、2601B、2651昌都周边面议2025-03-11 -
电流脉冲电源1μs窄脉宽
PL系列窄脉冲LV测试系统是为大功率激光器LV测试而研制的，大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重，而激光器特性受温度影响非常大，直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。 PL系列产品具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激昌都周边面议2025-03-11 -
数字源表用于光伏测试系统
武汉普赛斯推出的精密型数字源表（SMU）是对太阳能电池和各种其他器件的I-V特性进行表征的蕞佳解决方案。其宽广的电流和电压测量范围，可以为科研及生产制造提供着越的测量性能。结合太阳光模拟器以及砖用的上位机软件，支持自动扫描I-V特性曲线以及开路电压、短路电流、蕞昌都周边面议2025-03-11
酷易搜昌都周边仪器/仪表 频道为您提供2025最新昌都周边仪器/仪表信息，在此有大量昌都周边仪器/仪表报价/图片/价格信息供您选择，您可以免费查看和发布仪器/仪表服务信息。
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