你知道什么是ITO膜么

1、介绍

经济合作氧化物(TCO)薄膜最早出现在20世纪初，1907年Badeker首次制作CdO透明导电膜，触发了透明导电膜的开发和应用，1968年报道了ISN氧化物和InSn合金，理论研究和应用研究非常广泛。这些氧化物都是中抽检、高 干化、半导体，半导体机制是化学计量比偏移和掺杂，禁带宽度一般大于3eV，不同组不同。它们的光电性能取决于金属的氧化状态和兴 奋剂的特性和数量。

ITO薄膜是一种复杂的立方铁矿结构，最低电阻率接近10-5CM水平，可见光范围内平均光透射率达90%以上，优秀的光电特性使其成为具有实用价值的TCO薄膜。

ITO透明导电膜除了具有可见光透过率和高电导率外，还具有高红外反射率、与玻璃的强附着力、机械强度和化学稳定性、酸溶液湿法蚀刻工艺，容易形成电极图等其他优异性能。广泛应用于平板显示设备、微波和无线屏蔽设备、敏感部件、太阳能电池等许多领域。特别是近年来液晶等平面显示设备的出现进一步促进了ITO膜的研究和需求。

2、ITO膜导电机理及特性

In2O3是直接跳宽波段半导体材料，其晶体结构为立方铁矿结构。在In2O3形成过程当中，由于没有形成完全理想的化学比例结构，晶体结构中缺乏氧原子(氧空位)，因此存在过剩的自由电子，呈现出一定的电子导电性。与此同时，利用高价阳离子将Sn在In2O3晶格中混合而不是In  3，可提高自由导电电子的浓度，从而提高氧化铟的导电性。在ITO薄膜中，Sn通常以SN  2或SN  4的形式存在。In在In2O3中为正三价，因此SN  4的存在将电子提供给导向带，而SN  2的存在则减少了电子在导向带中的密度。另外，SnO本身是暗棕色的，对可见光的透光率下降。在低温沉积过程当中，Sn在ITO中主要以SnO的形式存在，因此载流子浓度低，膜阻力高。退火处理后，将SnO转化为SnO2，进一步氧化薄膜，另一方面，可以从薄膜中去除不必要的氧气，减少膜阻力，达到提高膜可见光透过率的目的。

ITO膜的特性：

良好的导电能力，最高10-4 厘米的电阻率；可见光透射率高到85%以上。

紫外线的吸收性、吸收率85%；

红外线有反射性，反射率80%；

微波损耗率，损耗率85%；

薄膜硬度、耐磨性、耐化学性；

便于薄膜处理性能、蚀刻等。

3、ITO膜的制备方法和技术

可用于制备ITO薄膜的成膜技术有磁控溅射沉积、真空蒸发沉积、溶胶-凝胶(Sol  -Gel)法等多种多样。