硅片切割切削液的问题主要表现在哪些方面？

硅片切割目前基本都是采用线切割的方法，加入SiC切割液，Si和SiC都是无毒的，但是一般硅锭会掺杂P、B、As等元素得到需要的硅片，所以切割废液和废芯片都有一定的毒性，但是毒性很低，因为杂质含量是切割iC硅片(晶圆)所用的非常非常低的工艺制成的。或者太阳能晶片切割，因为有一些图形是由铜、钛、镍、钴等制成的。在硅片切割通道中，而硅片本身也掺杂有P、B、As等。所以晶圆切割时，有可能会加入切削液。

现在光伏产业蓬勃发展，发展迅速。硅片产能的快速增长必然造成硅片切削液需求的增加。但是，硅片切削液的问题依然突出，主要表现在以下五个方面：

1.硅片切割后表层TTV大，有丝痕：因为切割时硅片会脆裂或划伤，影响硅片表层的粗糙度和翘曲，造成加工后硅片总厚度出现偏差。

2.耐酸耐腐蚀：由于硅片切割设备在酸性环境下会生锈腐蚀，质量差的切削液会加剧腐蚀程度，所以如何防腐蚀防锈是判断硅片切削液质量的关键。

3.使用年限短：目前硅片切割液中使用的很多添加剂质量较差，不利于切割后的清洗，从而缩短了碳化硅线的使用年限。

4.氢气产生：硅片粉末在切割过程当中，由于粒径过细，与水反应会释放出氢气，长期生产积累会造成安全隐患。

5.生产成本高：目前很多切削液由于技术和使用方法的限制，无法循环使用，无形中增加了公司的运营成本。由于这五个问题的客观存在，很多硅片厂家陷入了困境。如果不可及时解决这个问题，不仅会严重影响生产，还会制约公司的长远发展。