MFC常识讲堂等离子体反应器中也需要气体精准测控

上一期我们介绍了诸多的D，这一次，我们将视野扩展到刻蚀的领域，介绍一种在刻蚀和沉积工艺上均有广泛使用的等离子体反应器。 在半导体、太阳能以及其他涉及到表层处理行业的制造工艺中，我们在CVD、PVD、ALD之外，还常常可以看到RIE、IBE、SAB等缩写，他们是什么意思呢？我们先来简要说明一下。    RIE是Reactive Ion Etching的缩写，也就是反应离子体刻蚀的意思。而IBE则是Ion Beam Etching的缩写，也就是离子束刻蚀的意思。这两种刻蚀工艺，主要用于去除半导体芯片或传感器芯片表层中的选定区域。而SAB则是Surface Activated Bonding的缩写，意为表层活化键合，主要应用于传感器和电子线路板的制造。 上述的工艺都有一个共同的特征，那就是他们均使用了等离子体反应器这一设备。 什么是等离子体？    物理学中的“等离子体”是：“一种由正离子和自由电子组成的高度电离的气体”。由于离子和电子的电离和重组不断发生，等离子体会发出美丽的光。我们在极圈看到的极光，便是一个发生在自然界中的例子。因此，等离子体也被称为物质的第四种状态，仅次于固体、液体和气体。 等离子体的应用   等离子体可以在硅芯片、玻璃和金属片的表层上施加涂层。例如，芯片上的薄涂层可以通过涉及等离子体的蚀刻工艺构建。它还可以清理和激活表层，增强表层间的粘合过程，从而将两块材料更好地粘合在一起。 通过施加电能，引入反应器的气体形成电离等离子体。对不同气体流量、反应器压力、温度和电力的均衡调整，将使气体变成可控的等离子体，并将沉积材料散布在反应器内的基材上。这些气体流量和反应器压力的平衡设置是通过气体质量流量控制器和压力控制器达到的。 流量控制器和压力控制器在等离子体反应器中的应用   流量控制器向反应器室添加气体，在那里气体被点燃成等离子体，并用于与插入的材料进行所需的反应。压力控制器起着重要的作用。它将多余的气体转移出反应室，同时保持最佳工艺压力。    稳定、精准、可靠的流量计产品及压力控制器产品，是实现工艺流程的基本保障。    有等离子体反应器的地方，就离不开气体流量和压力精准测控，就需要七星流量计！