文章摘要: 目前IGBT主要有以下几种封装形式: 一是TO标准塑封模块结构,此结构较简单,成本也较低,主要是单芯片或一个IGBT何一个二极管等 两种形式,但是这种封装形式的热循环寿命有限。 二是工业/汽车级标准功率模块结构,目前来看,只要功率高于几个千瓦以上,都会采
目前IGBT主要有以下几种封装形式: 一是TO标准塑封模块结构,此结构较简单,成本也较低,主要是单芯片或一个IGBT何一个二极管等 两种形式,但是这种封装形式的热循环寿命有限。 二是工业/汽车级标准功率模块结构,目前来看,只要功率高于几个千瓦以上,都会采用这种模块 封装的形式,其特色是散热好,功率循环和热循环寿命相对不错,且工艺相比其他形式更为成熟, 成本相对适中。 三是压接式IGBT,这种封装方式没有焊层、引线键合,它最大的特色是功率容量大,拥有更高的安 全工作区(SOA),且具有失效短路特性,适用于串联应用、可以承受较高电压,但是工艺较为复 杂,成本较高。
IGBT封装形式
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