TFT屏工艺流程及工艺介绍

TFT屏工艺流程及工艺介绍

第一节 阵列段流程

主要工艺流程和工艺流程

（一）工艺流程

(2)工艺流程:1。成膜:PVD，CVD 2。平版印刷术:胶合、图案曝光和显影3。蚀刻:湿法蚀刻和干法蚀刻4。胶片剥离。

二、辅助工艺制程

1、清洗 2、打标及边缘进行曝光 3、AOI 4、Mic、Mac 观测 5、成膜性能分析检测（RS meter、Profile、RE/SE/FTIR） 6、O/S 电测 7、TEG 电测 8、阵列电测 9、激光技术修复

三、返工工艺流程

1、PR 返工

2、Film 返工

增值完成阵列部分的工艺流程

五、设备维护及过程状态监控流程

1. 假玻璃的用途

2. 虚拟玻璃的流动

第二节 制盒段流程

1、取向及PI 返工处理流程

2.制箱、垫喷返工工艺的切割、电气试验、磨边

3.偏振器、消色器和返工器

第三节 模块段流程

1、激光切线、电测

2、齿轮粘接、 fpc 粘接、电测量组件、电测量

3、加电老化包装出货

工艺制程

1、成膜

顾名思义，成膜就是通过物理或化学手段在玻璃基板表层形成均匀的涂层。在TFT阵列制造过程当中，我们将使用磁控溅射(或物理气相沉积PVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

2、光刻：涂胶、图形进行曝光、显影

光刻技术将掩模（掩模）上的图形转移到玻璃表层，形成PRMask。特别是通过胶水、图形曝光、开发来实现的。

3、刻蚀：湿刻、干刻

蚀刻可分为湿法蚀刻和干法蚀刻。湿法蚀刻是将玻璃基片浸入液体化学溶液中，通过化学反应将不覆盖的 pr 膜蚀刻掉。湿法腐蚀具有设备廉价、生产成本低的优点，但由于腐蚀是各向同性的，侧面腐蚀严重。

干法蚀刻是利用等离子体作为蚀刻气体，将等离子体暴露在反应物中的薄膜进行蚀刻。等离子体腐蚀具有各向异性，易于控制腐蚀的横截面，但高能等离子体会对薄膜造成损伤。

4、脱膜

蚀刻结束后，需要去除用作掩模的光刻胶，去除光刻胶的过程称为剥离。 通常，汽提设备将与随后的清理和干燥设备连接。