文章摘要: 霍尔离子源用于在真空镀膜过程当中通过离子轰击清理基板,并在沉积过程当中传递离子轰击能量输送。广泛应用于:增透膜、玻璃镀膜、光纤、高镜、热/冷镜、低漂移滤光片、带通滤光片、在线清洗、类金刚石积碳等。可改善膜的生长,优化膜的结构,增加涂层的一致
霍尔离子源用于在真空镀膜过程当中通过离子轰击清理基板,并在沉积过程当中传递离子轰击能量输送。
广泛应用于:增透膜、玻璃镀膜、光纤、高镜、热/冷镜、低漂移滤光片、带通滤光片、在线清洗、类金刚石积碳等。
可改善膜的生长,优化膜的结构,增加涂层的一致性和重复性,低温高速涂层,去除工件表层的水和碳氢化合物,增加膜密度,下降 低内应力,去除结合力弱的分子,反应气体活性增加,薄膜成分易于控制。
主要特征:
霍尔离子源可满足辅助镀膜工艺要求,其突出特色是小型化、结构紧凑、拆装方便。 在制造高质量光学薄膜时,有助于提高薄膜的附着力、密度、吸收率和折射率。
该离子源电源结构简单,可实现辅助镀膜所需的大面积均匀离子束电流。 单源可满足600mm-1600mm镀膜机的离子束辅助镀膜需求。
结构先进:
充分借鉴国内外先进霍尔离子源的优点,具有独特的水冷密封结构。 经过多次长期实验,证明该离子源在大等离子束流下能长期稳定工作。
能在高温环境下长期可靠工作:
在通常的镀膜过程当中,工件需要被加热到非常高的温度,整个真空室内的温度都非常高。 该离子源良好的冷却系统可以保证离子源在300℃的高温环境下长期正常运转。
等离子束电流大:
为避免对基材造成损伤,需要使用低能大束流等离子进行辅助镀膜。 过去,国内使用的束流大多很小(<1.5A),难以达到预期的效果。
空间均匀性强:
由于磁路和放电区结构的独特设计,以离子源轴为中心的30度锥体内等离子态强度的均匀性可以保持在±20%以内。
完全适用于反应气体:
在离子束辅助反应沉积工艺中,通常需要使用氧气或氮气与蒸发的薄膜材料发生反应,以沉积所需的薄膜。 在这个过程当中,提高反应气体的活性和能量对于形成高质量的薄膜至关重要。 在完全通入反应气体使其电离的情况下,离子源可以正常运转而不会中毒。
安装方便,维护简单,运行成本低:
这种离子源的安装非常简单,耗材只有灯丝,日常维护工作主要是更换灯丝。
霍尔离子源的主要特色
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