晶体管和mos管区别是什么？

mos管是金属（metal）-氧化物（oxide）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下，这个两个区是一样的，即便两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被以为是对称的。     严厉意义上讲，晶体管泛指一切以半导体资料为根底的单一元件，包括各种半导体资料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。     晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base） 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。