芯力特LIN收发器芯片SIT1021使能端口SLP_N抗干扰设计

SIT1021具有超低功耗休眠模式，芯片在休眠模式下，流过VBAT脚电流典型值仅为3uA；SLP_N脚控制芯片进入正常运转模式和休眠模式，当SLP_N脚为高电平时，芯片进入正常运转模式；当SLP_N脚为低电平时，芯片进入休眠模式；SLP_N脚内置弱下拉（国外同类芯片一样内置弱下拉），较容易受外界干扰影响，上电后用手触摸此管脚可以引起芯片进入正常运转模式；这样如果在干扰比较强的应用环境中SLP_N端口可能会受干扰被误触发，造成功能不良。SIT1021管脚图如下： 有客户在使用SIT1021时发现，上电瞬间SLP_N端口有一个幅值为2.8V尖峰电压，造成芯片由上电模式进入休眠模式，如下图（绿色通道为SLP_N脚波形、蓝色通道为INH脚波形）： 测量此尖峰电压，高于2V幅值的电压持续时间为6us左右，满足芯片由上电模式进入正常运转模式高电平要求（高电平阈值为2V～7V，持续时间2us～10us），当干扰尖峰过后，SLP_N被拉低从而进入休眠模式，造成INH脚关闭输出，控制MCU供电的LDO使能脚被置低，关闭输出，MCU掉电；不可收发数据，造成功能异常（国外同类芯片也会出现此现象）。解决方法为：在SLP_N脚对GND并联一个470nF～1uF电容滤波，将干扰幅值滤波到SLP_N低电平阈值以下（阈值为-0.3V～0.8V），下图是在SLP_N并联470nF电容后干扰的波形： 干扰幅值（绿色通道）由原来的2.8V下降为0.33V左右，此时INH（蓝色通道）输出高，各功能均能正常运转。 此外为了加强芯片的抗干扰能力，可在芯片VBAT脚对GND脚接一个100nf电容和一个大容量电容，也可以在VBAT上串一个磁珠。