铝碳化硅碳砖简介

铝碳化硅碳砖是以碳化硅为主要原料。SiC是共价键合的，所以没有烧结性，但是通过化学反应烧结生成新的相，即反应烧结。碳化硅砖根据结合方式的不同分为粘土结合碳化硅砖、结合碳化硅砖、氮氧化硅结合碳化硅砖、氮化硅结合碳化硅砖、赛隆结合碳化硅砖和重结晶碳化硅砖。

1.粘土结合铝碳化硅碳砖，以黑碳化硅为原料，结合性好的软粘土和废浆液为结合剂制成。一般将10% ~ 15%的粘土和3% ~ 5%的纸浆废液合并，按堆积密度计算碳化硅大、中、细颗粒的组成。混料时，先加入碳化硅颗粒和细粉，再加入铝碳化硅碳砖粘土细粉，干混3min，然后加入4%的纸浆废液(密度1.26 ~ 1.28 g/cm3)混合，困泥12小时后的泥浆通过孔径4mm的筛子，用压砖机成型。生砖的体积密度为2.5 ~ 2.7 g/cm3。青砖自然干燥2 ~ 4天，1400℃烧制。

2.氮化硅结合铝碳化硅碳砖，由碳化硅和硅粉制成，氮化烧结而成。

碳化硅的原料中含有97%以上的SiC，其泥中碳化硅颗粒的比例为:粗:中:细= 5: 1: 4。硅粉含量大于98%，小于10μm的硅粉含量大于80%，颗粒不可高于20μm，将铝碳化硅碳砖颗粒和硅粉配料、混合、成型、干燥后，将生砖放入氮化炉中烧制，烧制过程当中引入氮气，严格控制炉内温度、压力和气氛。工艺参数为:渗氮气压为0.02 ~ 0.04 MPa，炉内气氛O2含量小于0.01%，渗氮温度为1350 ~ 1450℃，总渗氮时间随产品的形状和尺寸而变化。

3.将β-SiC与铝碳化硅碳砖结合，将碳化硅、硅粉和碳粉按一定比例配比，混合，成型，在1400℃还原气氛中烧制。大部分都是用埋碳烧制的。在烧成过程当中，生成了一种以α-碳化硅为骨架、细小β-碳化硅为基体的β-碳化硅结合碳化硅砖。β-SiC是由硅粉和碳粉在烧制过程当中反应形成的。这种产品通常含有少量残留的硅和碳。

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