高压MOS管的工作原理

高压MOS管的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上，噪音低、热稳定性好、防辐射能力强、耗电省，集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。高压MOS管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID“，更准确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。 

高压MOS管的工作原理：

高压MOS管工作原理就是在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大。根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。高压MOS管从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和，将这种状态称为夹断，这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

高压MOS管在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动，但是此时高压MOS管漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近。由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层，因此漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时高压MOS管过渡层大概成为覆盖全区域的状态，而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不可流通。