首页 > 北京电气网 > 北京仪器/仪表 > IGBT|SiC功率半导体器件测试设备

IGBT|SiC功率半导体器件测试设备

武汉普赛斯仪表有限公司 2024-09-03 14:35:01

PMST系列IGBT|SiC功率半导体器件测试设备是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试，并具有优秀的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。详询

产品特点

1、高电压、大电流

具有高电压测量/输出能力，电压高达3500V（蕞大可扩展至10kV）

具有大电流测量/输出能力，电流高达6000A（多模块并联）

2、高精度测量

nA级漏电流，μΩ级导通电阻

0.1％精度测量

四线制测试

3、模块化配置

4、测试效率高

5、软件功能丰富

6、扩展性好

IGBT|SiC功率半导体器件测试设备