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照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-V特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料带隙Eg有关，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。

随着美国环保署于2011年10月公布新版固态照明灯具及光源产品上市规范，业界指出，备受关注的LM-80的光衰测试，预计将从2012年4月起强制实施，在新规范上路后，未来北美市场灯具厂商将优先采购通过LM-80验证的LED产品，对于未受验证的台湾LED封装及晶粒厂，日后进军美国市场恐将遭受阻碍。
由于LM-80的光衰验证需经过6,000小时测试，耗时长达6~8个月，部分LED业界认为，LED产品规格及技术日新月异，在经过长达数个月后，LED照明验证标准可能又将改变，故对此认证仍抱持存疑，不过工研= 表示，LM-80被视为进入美国市场的入场券，厂商必须出具LM-80(LED流明维持率)试验的报告证书，才能取得能源之星标章，北美照明工程学会(IES)也已订出LM-80的光衰减检测标准，不仅为LED应用产品提供量测标准，也为消费者提供品质保证，将成为全球共通的检测标准。

中国半导体照明产业发展向好，外延芯片企业的发展尤其迅速、封装企业规模继续保持较快增长、照明应用取得较大进展。2007年中国LED应用产品产值已超过300亿元，已成为LED全彩显示屏、太阳能LED、景观亮化等应用产品世界最大的生产和出口国，新兴的半导体照明产业正在形成。国内在照明领域已经形成一定特色，其中户外照明发展最快，已有上百家LED路灯企业并建设了几十条示范道路，但在室内通用照明市场方面仍显落后。