高压+半导体静态参数测试仪

武汉普赛斯仪表有限公司 2024-12-16 14:30:04

高压+半导体静态参数测试仪特点

高压+半导体静态参数测试仪
高压+半导体静态参数测试仪
高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV);
大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联);
高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试;
丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;

测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等

高压+半导体静态参数测试仪

高压+半导体静态参数测试仪

酷易搜提醒您:
1)为了您的资金安全,请选择见面交易,任何要求预付定金、汇款等方式均存在风险,谨防上当受骗!
2)确认收货前请仔细核验产品质量,避免出现以次充好的情况。
3)该信息由酷易搜网用户自行发布,其真实性及合法性由发布人负责,酷易搜网仅引用以供用户参考,详情请阅读酷易搜网免责条款。查看详情>
提示×
该账号认证已过期,无法显示联系电话。
微信在线
关闭
武汉普赛斯仪表有限公司
×
发送即代表同意《隐私协议》允许更多优质供应商为您服务