SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台

本科生微电子器件及材料实验目录
实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三： MOS电容的CV特性测试实验
实验四：半导体霍尔效应测试实验
实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验
实验六：太阳能电池的特性表征实验

本科生微电子器件及材料实验测试平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用，专业权威，方便学生动手操作
核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全，平台化设计，有专人维护支持，与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点，可逐步升级，满足日益增加的实验室测试需求

本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能

实验名称

测试参数
金属-氧化物-半导体场效应晶体管IV特性测试实验

l 输出特性曲线

l 转移特性曲线

l 跨导gm

l 击穿电压BVDS

本科生微电子器件及材料实验测试平台核心
测试平台的核心– 源测量单元（源表， SMU）

普赛斯国产源表五表合一 四象限模式
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足先进器件和材料测试需求

交流测试使用LCR表

探针台：4寸或6寸手动探针台