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北京旭辉照明工程有限公司
2024-05-29 09:19:20
照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-V特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料带隙Eg有关,即 λ≈1240/Eg(mm)
式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。
一家公司推出了一款可TRIAC调光的内嵌了驱动电源的13WLED灯泡,这款根据SSL2102的驱动电源计划选用了铝电解电容。当笔者问及该灯泡的作业寿数时,铝电解电容的作业寿数难题肯定会影响到整个LED灯泡的寿数,但能够采纳一些物理方法来减轻这个难题,如将铝电解电容在PCB上方位接近灯尾,通常来说,最接近LED光源有些的温度最高,可到达100-200℃,散热金属外壳有些其次,通常为100℃左右,灯尾有些最低,通常为70℃左右,因而只需注重把铝电解电容的方位接近灯尾,其寿数就不会衰减得太凶猛。咱们的试验标明,它的寿数还可到达1万小时左右,相当于10年使用时间,这关于通常家庭用户来说,十年换一次LED灯泡基本上是能够承受的。
一般人都认为,节能灯可节能4/5是伟大的创举,但LED比节能灯还要节能1/4,这是固体光源更伟大的改革。除此之外,LED还具有其他优势,光线质量高,基本上无辐射,属于典型的绿色照明光源;可靠耐用,维护费用极为低廉等等。正因为LED具有以上其他固体光源还无法匹敌的特点,10年后LED将是照明行业的主流光源。
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-V特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料带隙Eg有关,即 λ≈1240/Eg(mm)
式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。
一家公司推出了一款可TRIAC调光的内嵌了驱动电源的13WLED灯泡,这款根据SSL2102的驱动电源计划选用了铝电解电容。当笔者问及该灯泡的作业寿数时,铝电解电容的作业寿数难题肯定会影响到整个LED灯泡的寿数,但能够采纳一些物理方法来减轻这个难题,如将铝电解电容在PCB上方位接近灯尾,通常来说,最接近LED光源有些的温度最高,可到达100-200℃,散热金属外壳有些其次,通常为100℃左右,灯尾有些最低,通常为70℃左右,因而只需注重把铝电解电容的方位接近灯尾,其寿数就不会衰减得太凶猛。咱们的试验标明,它的寿数还可到达1万小时左右,相当于10年使用时间,这关于通常家庭用户来说,十年换一次LED灯泡基本上是能够承受的。
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张衍坤
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