沈阳周边仪器/仪表信息
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安科瑞霍尔电流传感器,江西多功能安科瑞霍尔传感器电话
产品安装 以方孔产品为例，将开口式霍尔电流传感器的安装螺丝打开，卸下传感器的下体；将开口式霍尔电流传感器的上体装入配电系统的一次母排，合上传感器的下体，将传感器的安装螺丝、垫片穿过上、下体的固定孔，将传感器的上、下体固定在一起。如果现场可断电安装，可在铜面议2022-02-10
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XKE24R14QXKE公母头骊创销售圆形连接器
Y50EX系列圆形连接器，符合GJB598A标准，参照美军标MIL-C-26482。等效于JY系列、YB系列、MS系列，并且同一型号对应插头、插座可以互配。该系列连接器连接方式为卡口式快速连接，具有密度高、耐环境、体积小、可靠性好等特点。广泛用于航空、航天、航海、通讯、工交电力、邮沈阳周边面议2025-04-16 -
XKE24F14ZPXKE公母头接插件骊创销售
西安骊创电子科技有限公司面向西安地区用户推荐电子接插件,连接器,圆形连接器,插座插头。 大量现货库存系列Y2、Y3、Y4、Y8.YP、Y11、Y17、Y27.Y50、Y50DX、Y50EX、Y50P.Y68、2CX,XC、XCE、XCD、XCF、XCG、CXCH.Y50X、XKE、YMA、YMB、YMG、JY27，GJB599.JY34.YB311. Y2M. FQ.沈阳周边面议2025-04-14 -
接插件XKE27R15ZQXKE公母头骊创销售
产品选用必知事项 HJ30J -- □ ZK/TJ □ □ -- □ ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ①主称代号：HJ30J ②接触件数目：12、18、24、30、36、55、100芯 外壳结构：P-垂直安装结构 L-水平安装结构 不表示-自由端壳体结构； ③连接器类型：TJ—插头装插针；沈阳周边面议2025-04-13 -
功率器件CV测试系统+CV测试仪
系统方案 普赛斯功率器件CV测试系统+CV测试仪主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一沈阳周边面议2025-04-08 -
半导体参数CV测试仪
半导体参数CV测试仪优势 频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调； 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%； 内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能; 兼容IV测试：同时沈阳周边面议2025-04-08 -
霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备
产品简介 霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备集多种测量和分析功能一体，可精准测量各种电流传感器（霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等）的静态与动态参数，单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数，具有大电流特性、极快沈阳周边面议2025-04-08 -
LIV光电特性测试脉冲恒流源
LIV光电特性测试脉冲恒流源认准普赛斯仪表，厂家直销，服务完善，详询一八一四零六六三四七六；PL系列脉冲电流源是针对大功率激光器LIV测试而研制的，触摸显示屏全图形化操作，高灵敏度宽带光功率检测，内置LIV测试软件加速用户完成测试，具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流沈阳周边面议2025-04-08 -
大功率igbt模块测试设备功率器件静态参数测试仪
普赛斯大功率igbt模块测试设备功率器件静态参数测试仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率沈阳周边面议2025-04-08 -
半导体参数测试仪CV+IV曲线扫描仪
SPA-6100半导体参数测试仪CV+IV曲线扫描仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研沈阳周边面议2025-04-08 -
半导体特性曲线测试仪IV曲线扫描仪
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%沈阳周边面议2025-04-08 -
半导体分立器件静态测试设备
普赛斯半导体分立器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六沈阳周边面议2025-04-08 -
功率器件功能高压测试模块
E系列功率器件功能高压测试模块特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详询一八一四零六六三四七六； 部分参数 最大输出功率：350W，3500V沈阳周边面议2025-04-08 -
国产半导体参数分析仪1200V/100A
SPA-6100国产半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试；SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助沈阳周边面议2025-04-08 -
大电流电源3000A电流源
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和沈阳周边面议2025-04-08 -
E系列功率器件功能高压测试模块
武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。 未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优沈阳周边面议2025-04-08 -
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量沈阳周边面议2025-04-08 -
旁路二极管热性能测试脉冲电流源
热斑效应：太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来。串联支路中可能由于电池片内部缺陷或者外部遮挡，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会严重发热而受损。旁路二极管是指并联于太阳能电池板正负极两端之间的二极管，沈阳周边面议2025-04-08 -
功率器件分析仪igbt模块测试机
功率器件分析仪igbt模块测试机特点 高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）； 大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）； 高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试； 丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数； 配置导出：支持一键沈阳周边面议2025-04-08 -
apd暗电流测试数字源表
在APD的光电特性中，暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下，APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流，暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要。在进行APD暗电流测试时，通常面临如下挑战：测试环境影响、连接沈阳周边面议2025-04-08
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