江岸仪器/仪表信息
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功率半导体测试平台功率器件测试设备
普赛斯功率半导体测试平台功率器件测试设备特点和优势： 单台Z大3500V输出； 单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A； 15us的超快电流上升沿； 同步测量； 国标全指标的自动化测试； 可定制夹具； nA级电流和uΩ级电阻测量； 测试项目 集电极-发射极电压Vces，集电面议2025-02-27 -
功率模块igbt测试设备igbt测试仪
普赛斯功率模块igbt测试设备igbt测试仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如面议2025-02-27
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高低温交变湿热试验箱 温度循环测试箱
技术参数 1.温度范围：-20℃～150℃（A）、-30℃～150℃(B)、-40℃～150℃(C)、-60℃～150℃(D)、-70℃～150℃(E) 2.湿度范围：30%～98%R.H（温度在25℃～95℃） 3.温度均匀度：≤±2℃ （空载时） 4.湿度均匀度：+2% -3%R.H 5.温度波动度：≤±0.5℃ （空载时） 6.湿度波动度：±2% 7江岸面议2025-03-12 -
恒温恒湿测试箱 可编程双85湿热试验箱
技术参数 1.温度范围：-40℃～150℃(D) 2.湿度范围：30%～98%R.H（温度在25℃～95℃） 3.温度均匀度：≤±2℃ （空载时） 4.湿度均匀度：+2% -3%R.H 5.温度波动度：≤±0.5℃ （空载时） 6.湿度波动度：±2% 7.温度偏差：≤±2℃ 8.湿度偏差：≤±2% 9.降温速率：0.7～1.0℃/min江岸面议2025-03-12 -
恒温恒湿测试箱 可编程双85湿热试验箱
技术参数 1.温度范围：-40℃～150℃(D) 2.湿度范围：30%～98%R.H（温度在25℃～95℃） 3.温度均匀度：≤±2℃ （空载时） 4.湿度均匀度：+2% -3%R.H 5.温度波动度：≤±0.5℃ （空载时） 6.湿度波动度：±2% 7.温度偏差：≤±2℃ 8.湿度偏差：≤±2% 9.降温速率：0.7～1.0℃/min江岸面议2025-03-12 -
换气老化箱试验设备 高温热空气试验箱
技术参数 1.温度范围：室温+10℃～200℃；或室温+10℃～300℃； 2.温度波动度：±1℃ （空载时）； 3.升温速率： 3～5℃/min； 4.试验定时范围：1～9999（s、m、h）可调； 5.换气时间：1～99（s、m、h）可调； 6.换气量：3～10次/小时、50～100次/小时、 100～200次/小时（订江岸面议2025-03-12 -
高低温试验箱 交变湿热可程式高温低温箱
产品名称 高低温交变湿热试验箱 一、产品用途 产品适用于考察 电工电子产品、元器件、零部件及其材料在不同温湿度条件下，其耐潮湿能力，还可以作为在高低温环境下储存、运输和使用的适应性试验。 二、产品规格(单位：mm) 三、技术参数 1.温度范围：-70℃～150℃(E)江岸面议2025-03-12 -
大功率分立器件测试设备静态参数分析仪
普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准江岸面议2025-03-11 -
国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪
国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯S系列源表标准的SCPI指令集，U秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，详询一八一四零六六三四七六 数字源表基本功能 集多种功能为一体的精密测量仪器，主要是测量电气性能 SMU可以当电源,江岸面议2025-03-11 -
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪优势： IV、CV一键测；一体机，支持远程指令控制；支持三同轴接探针台 能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试；详询一八一四零六六三四七六； 产品特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可江岸面议2025-03-11 -
脉冲IV特性测试数字源表
PXOOB系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者江岸面议2025-03-11 -
直流特性IV曲线SMU数字源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%江岸面议2025-03-11 -
功率半导体测试电源高压程控电源
功率半导体测试电源高压程控电源具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。详询18140663476最大输出功率：350W，3500江岸面议2025-03-11 -
IGBT|SiC功率半导体器件测试设备
PMST系列IGBT|SiC功率半导体器件测试设备是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGB江岸面议2025-03-11 -
晶圆/芯片微弱电流测试VI源表
武汉普赛斯仪表晶圆/芯片微弱电流测试VI源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作S系列源表 应用 分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、江岸面议2025-03-11 -
igbt静态性能测试设备
普赛斯igbt静态性能测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476 测试项目 集江岸面议2025-03-11 -
wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪
SPA-6100wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材江岸面议2025-03-11 -
IC芯片电特性测试数字源表
IC芯片电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400、2450、2611、2601B、2651江岸面议2025-03-11 -
电流脉冲电源1μs窄脉宽
PL系列窄脉冲LV测试系统是为大功率激光器LV测试而研制的，大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重，而激光器特性受温度影响非常大，直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。 PL系列产品具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激江岸面议2025-03-11 -
数字源表用于光伏测试系统
武汉普赛斯推出的精密型数字源表（SMU）是对太阳能电池和各种其他器件的I-V特性进行表征的蕞佳解决方案。其宽广的电流和电压测量范围，可以为科研及生产制造提供着越的测量性能。结合太阳光模拟器以及砖用的上位机软件，支持自动扫描I-V特性曲线以及开路电压、短路电流、蕞江岸面议2025-03-11
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