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精密电流源直流源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%面议2025-02-27 -
功率半导体测试平台功率器件测试设备
普赛斯功率半导体测试平台功率器件测试设备特点和优势： 单台Z大3500V输出； 单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A； 15us的超快电流上升沿； 同步测量； 国标全指标的自动化测试； 可定制夹具； nA级电流和uΩ级电阻测量； 测试项目 集电极-发射极电压Vces，集电面议2025-02-27 -
半导体芯片测试设备IV曲线扫描仪器
众所周知，半导体芯片测试设备IV曲线扫描仪器应用的专业领域十分广泛，分别有：微电子、集成电路、物理与电子工程、航空航天、材料科学与工程、材料与能源、电子科学与工程、光电信息与能源工程等等等... 数字源表作为电学测量的常用仪器，在高校和研究所的相关实验室内几面议2025-02-27 -
电参数测量多合一数字源表
分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应，通常分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字万用表、 电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，又占用过多测面议2025-02-27 -
igbt模块测试设备功率器件测试仪
普赛斯igbt模块测试设备功率器件测试仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如面议2025-02-27 -
pA级微电流数字源表IV测试源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，pA级微电流数字源表IV测试源表认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六； 源表特点： 多面议2025-02-27 -
半导体分立器件测试设备参数分析源表
半导体分立器件泛指二极管、三极管等具有单一功能的半导体元器件，用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等电路中，是构成电力电子变化装置的核心器件之一，在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动化控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广面议2025-02-27 -
电流阶跃测试电源高电流脉冲源
电流阶跃测试电源高电流脉冲源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。 设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设面议2025-02-27 -
直流30A大电流数字源表
HCP系列直流30A大电流数字源表具备直流和脉冲输出能力，最大脉冲输出电流100A，最大输出电压100V，支持四象限工作，输出及测量精度均可达0.1%，可广泛用于功率MOS测试、肖特二极管测试、整流桥堆测试及太阳能电池模组测试等。详询一八一四零六六三四七六； 应用 •纳米材面议2025-02-27 -
SMU电流模块
SMU电流模块认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案;详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势： 1、多功能面议2025-02-27 -
功率模块igbt测试设备igbt测试仪
普赛斯功率模块igbt测试设备igbt测试仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如面议2025-02-27 -
压力传感器测试仪
通常，压力传感器Ⅳ特性测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而，由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且，使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的面议2025-02-27 -
半导体器件电性能测试仪表高精度数字源表
半导体器件电性能测试仪表高精度数字源表找普赛斯仪表，普赛斯数字源表国产自主研发，对标美国2400，B2901；可实现“源”的输出和“表”的测量同步进行，提高测试效率；支持四象限工作，测量范围广，电压高至300V，电流低至10pA；支持USB存储，一键导出数据报告；5寸触摸显示屏面议2025-02-27 -
数字源表搭建MOS电容CV特性测试实验平台
系统方案 普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信面议2025-02-27 -
SMU数字源表搭建微电子教学实验平台
在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高面议2025-02-27 -
半导体性能检测设备iv曲线测试仪
实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其面议2025-02-27 -
电化学实验循环伏安测试仪
电化学电池的三个电极是工作电极 (WE)、基准电极 (RE) 和反（或辅助）电极 (CE)。WE 和 CE 之间使用双极性可编程电源进行电压扫描。RE与 WE 之间的电位E使用数字电压表测量，然后调节双极性可编程电源输出电压VS，使E为希望的电位值，这时使用万用表测量流入WE的电流I。之后面议2025-02-27 -
功率半导体参数测试仪3500V/1000A
普赛斯PMST功率半导体参数测试仪3500V/1000A，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设面议2025-02-27 -
半导体器件参数测试仪半导体参数分析仪
SPA-6100半导体器件参数测试仪半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿面议2025-02-27 -
半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2025-02-27 -
低压型数字源表
数字源表现广泛用于半导体器件特性测试中，省钱省地，节约测试台空间，同时实现了大动态测试范围，集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体，普赛斯源表相对于进口源表，测试范围更广，价格更便宜！最大输出电压达300V，最小测试电流达100pA，支持四象限工作；SXXB系列面议2025-02-27 -
直流3A半导体分立器件测试仪
通常分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字万用表、 电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，又占用过多测试台的空间；实施半导体分立器件特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。数字源表面议2025-02-27 -
30A+1us脉冲源
30A+1us脉冲源的简述: 作用: 主要应用于VCSEL激光器、大功率LED的测试 功能： 实现窄脉冲加电的LIV测试 特点： （1）超窄脉冲大电流电流加电，能够满足VCSEL的晶圆和芯片的测试需要； （2）支持脉冲光功率和器件脉冲电压采样功能。是LIV测试的系统解决方案； （3面议2025-02-27 -
半导体IV特性曲线分析仪
半导体IV特性曲线分析仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具，接线简单、方便操作。 利用数字源表简化半导体分立器件特性参数测试面议2025-02-27 -
半导体分立器件测试设备高电压+大电流
实施半导体分立器件特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载，其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器、波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。 利用数面议2025-02-27 -
场效应MOS管特性曲线测试国产源表
使用普赛斯S系列高精度数字源表、P系列高精度台式脉冲源表对MOSFET常见参数进行测试。 输入/输出特性测试 针对1A以下的MOSFET器件，推荐2台S系 列源表搭建测试方案，Z大电压300V，Z大电流1A, 最小电流100pA，可以满足小功率MOSFET测试的需求。 针对Z大电流为面议2025-02-27 -
三极管反向击穿电压测试SMU数字源表
三极管是半导体基本元器件之一，设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 根据材料以及用途不同，三极管器件的电压、电流技术参数也不同，针对1A以面议2025-02-27 -
二极管反向漏电流测试国产源表
普赛斯二极管反向漏电流测试国产源表 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等面议2025-02-27 -
忆阻器IV测试脉冲恒压源CP系列
CP系列脉冲恒压源是武汉普赛斯仪表推出的窄脉宽、高精度、宽量程插卡式脉冲恒压源。设备支持窄脉冲电压输出，并同步完成输出电压及电流测量；支持多设备触发实现器件的脉冲IV扫描等；支持输出脉冲时序（如延迟、脉宽、周期等参数变量等）调节，可输出复杂曲线。主要特点有：面议2025-02-27 -
PMST-3500V大功率激光器LIV测试及老化系统
普赛斯PMST-3500V大功率激光器LIV测试及老化系统是专为解决千瓦级大功率半导体激光器芯片及泵浦激光器模块需要使用窄脉冲大电流测试和老化、芯片发热严重等问题而创新开发推出的一套通用性好、大功率、循环水冷的老化测试系统。产品具有大电流窄脉冲恒流特性好、电流稳定、面议2025-02-27 -
CTMS-1000A霍尔电流传感器测直流电流平台
CTMS-1000A霍尔电流传感器测直流电流平台集多种测量和分析功能一体，可精准测量各种电流传感器（霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等）的静态与动态参数，单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数，具有大电流特性、极快的达到50A/us面议2025-02-27 -
射频器件频率特性测试SMU源表
GaNHEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。 频率特性测试 射频器件的频率参数测试包含小信号S参数、互调(IMD)、噪声系数和杂散等特性的测量。其中,S参数测试描述了RF器件在不同频率下和对于信号的不同面议2025-02-27 -
16路激光器老化测试系统
16路激光器老化测试系统特点 单抽屉最多支持16路8抽屉； 各通道互相独立； 电流回读，同步自动测量电压、光功率等数据； 加热膜加热，温控范围：室温～125℃； 电源抗浪涌设计； 收光装置水冷； 绝对精度±1℃，不同DUT温度均匀性±2℃； 老化数据自动记面议2025-02-27 -
数字源表如何选型
目前市场上数字源表琳琅满目，如何选择适合自己、或性价比高的源表成为众多买家比较头疼的问题，其实只要了解到以下参数，就不难选型了： 1、源的输出范围 2、通道数 3、是否支持脉冲输出 4、测量的精度 5、测量的速度（采样率）等 确定了以上参数后，就面议2025-02-27 -
数字源表测试柔性电子材料
柔性电子又称为塑料电子、印刷电子、有机电子、聚合体电子等，将有机或者无机材料电子器件制作在柔性、可延性塑料或薄金属基板上的新兴电子技术。由于FPC柔性线路板及电子系统可实现弯曲、折叠、延展，且功能不会因此而受到影响，其独特的柔性和延展性使得柔性电子在信息、面议2025-02-27 -
数字源表测LDO芯片电性能
LDO，全称为“Low Dropout Regulator”，是一种低压差线性稳压元器件。其工作原理为，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。相比于传统的DC-DC变换器，LDO具有成本低，噪音低，静态电流小的特点，需面议2025-02-27
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