武汉周边仪器/仪表信息
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晶圆/芯片微弱电流测试VI源表
武汉普赛斯仪表晶圆/芯片微弱电流测试VI源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作S系列源表 应用 分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、面议2024-11-07 -
电流脉冲电源1μs窄脉宽
PL系列窄脉冲LV测试系统是为大功率激光器LV测试而研制的，大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重，而激光器特性受温度影响非常大，直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。 PL系列产品具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激面议2024-10-21 -
igbt静态性能测试设备
普赛斯igbt静态性能测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476 测试项目 集面议2024-10-15 -
IC芯片电特性测试数字源表
IC芯片电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400、2450、2611、2601B、2651面议2024-10-15 -
wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪
SPA-6100wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材面议2024-10-10 -
二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。面议2024-09-24 -
高电压大电流功率器件测试机
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2024-09-24 -
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪优势： IV、CV一键测；一体机，支持远程指令控制；支持三同轴接探针台 能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试；详询一八一四零六六三四七六； 产品特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可面议2024-09-24 -
SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台
本科生微电子器件及材料实验目录 实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验 实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验 实验三： MOS电容的CV特性测试实验 实验四：半导体霍尔效应测试实验 实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验 实验六：太阳能电面议2024-09-24 -
分立器件检测仪iv+cv测试仪
SPA-6100分立器件检测仪iv+cv测试仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半面议2024-09-24 -
高电压大电流-半导体功率测试设备
PMST系列高电压大电流-半导体功率测试设备是武汉普赛斯正向设计，精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一致能够提供IV，CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET.BJT、 IGB面议2024-09-24 -
数字源表搭建MOS电容CV特性测试实验平台
系统方案 普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信面议2024-09-24 -
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表 实时测试多种材料在同-环境条件下的电阻值的反应灵敏; 在低电压下进行下高范围跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的电阻测量，测试设备输入电阻要求高; I/N曲线扫描; 上位机实时显示各不同压敏电阻R/t曲线，并可记录存档。 S系列源表+上位机软件面议2024-09-24 -
SMU数字源表搭建微电子教学实验平台
在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高面议2024-09-24 -
半导体性能检测设备iv曲线测试仪
实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其面议2024-09-24 -
apd暗电流测试数字源表
在APD的光电特性中，暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下，APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流，暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要。在进行APD暗电流测试时，通常面临如下挑战：测试环境影响、连接面议2024-09-24 -
DC参数测试iv扫描源表
芯片测试作为芯片设计、生产、封装、测试流程中的重要步骤，是使用特定仪器，通过对待测器件DUT(DeviceUnderTest)的检测，区别缺陷、验证器件是否符合设计目标、分离器件好坏的过程。其中直流参数测试是检验芯片电性能的重要手段之一，常用的测试方法是FIMV（加电流测电压）面议2024-09-24 -
电化学实验循环伏安测试仪
电化学电池的三个电极是工作电极 (WE)、基准电极 (RE) 和反（或辅助）电极 (CE)。WE 和 CE 之间使用双极性可编程电源进行电压扫描。RE与 WE 之间的电位E使用数字电压表测量，然后调节双极性可编程电源输出电压VS，使E为希望的电位值，这时使用万用表测量流入WE的电流I。之后面议2024-09-24 -
功率半导体参数测试仪3500V/1000A
普赛斯PMST功率半导体参数测试仪3500V/1000A，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设面议2024-09-24 -
半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2024-09-24 -
半导体器件参数测试仪半导体参数分析仪
SPA-6100半导体器件参数测试仪半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿面议2024-09-24 -
大功率分立器件测试设备静态参数分析仪
普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准面议2024-09-24 -
CV测试系统_CV测试仪_提供0V~3500V偏压范围
CV测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上，内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能;详面议2024-09-24 -
1200V半导体分析仪替代4200
SPA-6100型1200V半导体分析仪替代4200是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、面议2024-09-24 -
旁路二极管热性能测试脉冲电流源
热斑效应：太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来。串联支路中可能由于电池片内部缺陷或者外部遮挡，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会严重发热而受损。旁路二极管是指并联于太阳能电池板正负极两端之间的二极管，面议2024-09-24 -
大电流电源3000A电流源
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2024-09-24 -
E系列功率器件功能高压测试模块
武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。 未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优面议2024-09-24 -
功率器件CV测试系统+CV测试仪
系统方案 普赛斯功率器件CV测试系统+CV测试仪主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一面议2024-09-24 -
功率器件功能高压测试模块
E系列功率器件功能高压测试模块特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详询一八一四零六六三四七六； 部分参数 最大输出功率：350W，3500V面议2024-09-24 -
半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪
SPA-6100半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料面议2024-09-24 -
国产半导体参数分析仪1200V/100A
SPA-6100国产半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试；SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助面议2024-09-24 -
PL202型脉冲式直流电源
PL202型脉冲式直流电源特点和优势： 超窄至1us的脉冲； 大到30A的脉冲电流； 最大300A/us上升速度； 兼容CW和QCW模式； 丰富的软件接口； PL202型脉冲式直流电源应用 医疗、美容激光器，典型波长为808nm等 光纤、固体激光器的泵浦源，典型波长为53面议2024-09-24 -
半导体特性曲线测试仪IV曲线扫描仪
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%面议2024-09-24 -
LIV光电特性测试脉冲恒流源
LIV光电特性测试脉冲恒流源认准普赛斯仪表，厂家直销，服务完善，详询一八一四零六六三四七六；PL系列脉冲电流源是针对大功率激光器LIV测试而研制的，触摸显示屏全图形化操作，高灵敏度宽带光功率检测，内置LIV测试软件加速用户完成测试，具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流面议2024-09-24 -
半导体分立器件静态测试设备
普赛斯半导体分立器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六面议2024-09-24 -
硅基and碳化硅特性曲线测试设备
硅基and碳化硅特性曲线测试设备优势 高电压、大电流 具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV) 具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联) 高精度测量 nA级漏电流, μΩ级导通电阻 0.1%精度测量 模块化配置面议2024-09-24
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