全西安仪器/仪表信息
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功率器件分析仪igbt模块测试机
功率器件分析仪igbt模块测试机特点 高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）； 大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）； 高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试； 丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数； 配置导出：支持一键面议2025-02-27 -
半导体器件功率分析仪
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2025-02-27 -
半导体电学参数测试设备iv+cv曲线扫描仪
半导体电学参数测试设备iv+cv曲线扫描仪特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可达0.03%精度； 内置标准器件测试程序，直接调用测试简便； 自动实时参数提取，数据绘图、分析函数； 在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布面议2025-02-27
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XKE24R12ZQXKE公母头骊创新品插头插座
产品详情： Y50EX-22系列详细型号： Y50EX-2221TK2/ZJ10 21芯*1.6mm Y50EX-2255TK2/ZJ10 55芯*1.0mm 备注： Y50EX:表示产品设计序列号。 22 :表示铝合金外壳号。 21 :表示接触件数量即芯数 TK2 :表示插头装插孔，尾部形式西安面议2025-03-30 -
高低温交变湿热试验箱 温度循环测试箱
技术参数 1.温度范围：-20℃～150℃（A）、-30℃～150℃(B)、-40℃～150℃(C)、-60℃～150℃(D)、-70℃～150℃(E) 2.湿度范围：30%～98%R.H（温度在25℃～95℃） 3.温度均匀度：≤±2℃ （空载时） 4.湿度均匀度：+2% -3%R.H 5.温度波动度：≤±0.5℃ （空载时） 6.湿度波动度：±2% 7西安面议2025-03-12 -
恒温恒湿测试箱 可编程双85湿热试验箱
技术参数 1.温度范围：-40℃～150℃(D) 2.湿度范围：30%～98%R.H（温度在25℃～95℃） 3.温度均匀度：≤±2℃ （空载时） 4.湿度均匀度：+2% -3%R.H 5.温度波动度：≤±0.5℃ （空载时） 6.湿度波动度：±2% 7.温度偏差：≤±2℃ 8.湿度偏差：≤±2% 9.降温速率：0.7～1.0℃/min西安面议2025-03-12 -
恒温恒湿测试箱 可编程双85湿热试验箱
技术参数 1.温度范围：-40℃～150℃(D) 2.湿度范围：30%～98%R.H（温度在25℃～95℃） 3.温度均匀度：≤±2℃ （空载时） 4.湿度均匀度：+2% -3%R.H 5.温度波动度：≤±0.5℃ （空载时） 6.湿度波动度：±2% 7.温度偏差：≤±2℃ 8.湿度偏差：≤±2% 9.降温速率：0.7～1.0℃/min西安面议2025-03-12 -
换气老化箱试验设备 高温热空气试验箱
技术参数 1.温度范围：室温+10℃～200℃；或室温+10℃～300℃； 2.温度波动度：±1℃ （空载时）； 3.升温速率： 3～5℃/min； 4.试验定时范围：1～9999（s、m、h）可调； 5.换气时间：1～99（s、m、h）可调； 6.换气量：3～10次/小时、50～100次/小时、 100～200次/小时（订西安面议2025-03-12 -
高低温试验箱 交变湿热可程式高温低温箱
产品名称 高低温交变湿热试验箱 一、产品用途 产品适用于考察 电工电子产品、元器件、零部件及其材料在不同温湿度条件下，其耐潮湿能力，还可以作为在高低温环境下储存、运输和使用的适应性试验。 二、产品规格(单位：mm) 三、技术参数 1.温度范围：-70℃～150℃(E)西安面议2025-03-12 -
大功率分立器件测试设备静态参数分析仪
普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准西安面议2025-03-11 -
国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪
国产SMU数字源表高精密IV曲线扫描仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯S系列源表标准的SCPI指令集，U秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，详询一八一四零六六三四七六 数字源表基本功能 集多种功能为一体的精密测量仪器，主要是测量电气性能 SMU可以当电源,西安面议2025-03-11 -
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪优势： IV、CV一键测；一体机，支持远程指令控制；支持三同轴接探针台 能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试；详询一八一四零六六三四七六； 产品特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可西安面议2025-03-11 -
脉冲IV特性测试数字源表
PXOOB系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者西安面议2025-03-11 -
直流特性IV曲线SMU数字源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%西安面议2025-03-11 -
功率半导体测试电源高压程控电源
功率半导体测试电源高压程控电源具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。详询18140663476最大输出功率：350W，3500西安面议2025-03-11 -
IGBT|SiC功率半导体器件测试设备
PMST系列IGBT|SiC功率半导体器件测试设备是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGB西安面议2025-03-11 -
晶圆/芯片微弱电流测试VI源表
武汉普赛斯仪表晶圆/芯片微弱电流测试VI源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作S系列源表 应用 分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、西安面议2025-03-11 -
igbt静态性能测试设备
普赛斯igbt静态性能测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476 测试项目 集西安面议2025-03-11 -
wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪
SPA-6100wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材西安面议2025-03-11 -
IC芯片电特性测试数字源表
IC芯片电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400、2450、2611、2601B、2651西安面议2025-03-11
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